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NXP Semiconductors
PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US
Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse stand-off voltage
-
-
5
V
I RM
reverse leakage current
V RWM = 5 V
-
8
25
nA
V (CL)R
V (BR)
r dif
C d
clamping voltage
breakdown voltage
differential resistance
diode capacitance
I PP = 1 A
I PP = 2.5 A
I R = 1 mA
I R = 1 mA
V R = 0 V; f = 1 MHz;
[1][2]
[1][2]
-
-
6.4
-
-
-
-
6.8
-
16
10
15
7.2
100
19
V
V
V
?
pF
see Figure 5
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponentially decay waveform according to IEC 61000-4-5; see Figure 1 .
Measured between each cathode on pins 1, 2, 3, 4, 5 or 8 and anode on pin 6 or 7.
PESD5V0L6UAS_US_3
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 18 August 2009
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